AEC-Q100文件名稱是
FAILURE MECHANISM BASED STRESS TEST QUALIFICATION FOR PACKAGED INTEGRATED CIRCUITS
翻譯過來是
基于(yu)失(shi)效機制對集(ji)成(cheng)電路芯片及封裝的(de)應力測試認證
AEC-Q100最新的版本是Rev_J，發(fa)布于2023年。
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文件的內容
包含AEC-Q100文(wen)件(jian)正文(wen)內(nei)容
正文后有7個附錄
Appendix 1: Definition of a Qualification Family - 附(fu)錄1: 產(chan)品認(ren)證(zheng)家族的定(ding)義(yi)
Appendix 2: Q100 Certification of Design, Construction and Qualification - 附(fu)錄2:Q100設計、建立(li)和資質認證
Appendix 3: Plastic Package Opening for Wire Bond Testing - 附錄(lu)3:用(yong)于邦線(xian)測試的(de)塑料封裝(zhuang)開蓋流(liu)程(cheng)
Appendix 4: Minimum Requirements for Qualification Plans and Results - 附錄4:認(ren)證計劃和(he)結果的最(zui)低(di)要(yao)求
Appendix 5: Part Design Criteria to Determine Need for EMC Testing - 附錄5: 確定(ding)需(xu)要EMC測(ce)試的部(bu)件設計標準
Appendix 6: Part Design Criteria to Determine Need for SER Testing - 附錄6:確(que)定SER測試需求(qiu)的零件設(she)計標準
Appendix 7 AEC-Q100 and the Use of Mission Profiles - 附錄7 AEC-Q100和任務剖面的(de)使用
同時Q100還有12個附加文件，這12個文件是獨立文件，需要單獨下載：
AEC-Q100-001: WIRE BOND SHEAR TEST - 邦線剪切試驗
AEC-Q100-002: HUMAN BODY MODEL (HBM) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) TEST - 人體模(mo)型(HBM)靜電(dian)放(fang)電(dian)試驗
AEC-Q100-003: MACHINE MODEL (MM) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) TEST
(DECOMMISSIONED) 機器模型靜電放(fang)電試驗(yan)（已(yi)取消）
AEC-Q100-004: IC LATCH-UP TEST - 集成電路閂(shuan)鎖試驗
AEC-Q100-005: NONVOLATILE MEMORY WRITE/ERASE ENDURANCE, DATA RETENTION, AND OPERATIONAL LIFE TEST - 非(fei)易失性(xing)存(cun)儲器(qi)寫/擦除持久性(xing)、數據保留和(he)運行(xing)壽命(ming)測試
AEC-Q100-006: ELECTRO-THERMALLY INDUCED PARASITIC GATE LEAKAGE (GL) TEST (DECOMMISSIONED) - 電熱寄生柵泄漏(gl)試驗(已取消)
AEC-Q100-007: FAULT SIMULATION AND TEST GRADING - 故障模擬和測試分級(ji)
AEC-Q100-008: EARLY LIFE FAILURE RATE (ELFR) - 早(zao)期壽命失效率
AEC-Q100-009: ELECTRICAL DISTRIBUTION ASSESSMENT - 電(dian)氣分布評估
AEC-Q100-010: SOLDER BALL SHEAR TEST - 焊(han)錫球剪切試驗
AEC-Q100-011: CHARGED DEVICE MODEL (CDM) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) TEST - 帶(dai)電器件模型(xing)(cdm)靜電放電(esd)試驗
AEC-Q100-012: SHORT CIRCUIT RELIABILITY CHARACTERIZATION OF SMART POWER DEVICES FOR 12V SYSTEMS - 12v系統智能電源器件的短(duan)路可靠性表征
注意聲明
AEC文件包含(han)通過AEC技術委員會準備、審(shen)查(cha)和批準的材料。
AEC文(wen)件旨在通過消(xiao)除制造商和(he)購(gou)買者之間的(de)(de)誤解，促進(jin)產(chan)品的(de)(de)互換性和(he)改(gai)進(jin)，并(bing)幫(bang)助購(gou)買者選擇和(he)獲得適合AEC成員以外的(de)(de)組織(zhi)使用的(de)(de)適當產(chan)品，無論該標準(zhun)是(shi)在國內還是(shi)國際上使用，均(jun)為汽車電子行業服(fu)務(wu)。
AEC文(wen)件的(de)使用不(bu)考慮其使用是(shi)否(fou)涉及(ji)專(zhuan)利(li)(li)或物品(pin)、材(cai)料或工藝(yi)。通過(guo)這種行為(wei)，AEC不(bu)對(dui)任(ren)(ren)何專(zhuan)利(li)(li)所有人(ren)承(cheng)擔(dan)(dan)任(ren)(ren)何責任(ren)(ren)，也不(bu)對(dui)使用AEC文(wen)件的(de)各(ge)方承(cheng)擔(dan)(dan)任(ren)(ren)何義務。主要從汽車電子系統(tong)制造商(shang)的(de)角度來(lai)看，包(bao)括(kuo)在AEC文(wen)件中的(de)信息(xi)代表(biao)了產品(pin)規(gui)范(fan)和應用的(de)一個(ge)完善的(de)方法。除(chu)非滿足(zu)文(wen)件中規(gui)定的(de)所有要求，否(fou)則不(bu)得提(ti)出與本文(wen)件相(xiang)符的(de)索(suo)賠(pei)。
有(you)關本AEC文(wen)件內容(rong)的查詢、評論和建議應通(tong)過鏈接//www.aecouncil.com發(fa)送給(gei)AEC技術委員會。
本文件由汽(qi)車電子委員會出版。
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基于失效機制對集成電路芯片及封裝的應力測試認證 - 正文部分
本(ben)(ben)文(wen)檔對上次修訂版本(ben)(ben)以來(lai)的文(wen)本(ben)(ben)修正和(he)差異標記(ji)為(wei)下劃線。還修訂了若干數字和(he)表格，但沒(mei)有強調這些位置的變化點。
除本標準另有規定外，本標準新資格(ge)認證和重(zhong)復資格(ge)認證的(de)實施日期為上述發布日。
1 AEC-Q100的適用范圍：
AEC-Q100文件(jian)包含了(le)一系(xi)列基(ji)于應(ying)力測試的(de)失效機制(zhi)，定(ding)義(yi)了(le)最低應(ying)力測試認(ren)證的(de)要求，定(ding)義(yi)了(le)集(ji)成電(dian)路(lu)(IC)認(ren)證的(de)參(can)考測試條(tiao)件(jian)。這些檢(jian)測項目能(neng)夠發(fa)現(xian)和識(shi)別集(ji)成電(dian)路(lu)芯(xin)片和其(qi)封裝的(de)故(gu)障(zhang)及問題。目的(de)是對比正常使(shi)用(yong)的(de)條(tiao)件(jian)，以加速的(de)方式讓故(gu)障(zhang)更快地發(fa)生。不應(ying)盲(mang)目地使(shi)用(yong)這套測試方法(fa)。每個驗(yan)證項目都(dou)應(ying)該(gai)按(an)照如(ru)下思路(lu)去評估：
a. 任(ren)何潛在的(de)、新的(de)和獨特的(de)失(shi)效機制
b. 任何在實際應用中(zhong)無(wu)法看到但在測(ce)試條件下可能(neng)會導致失(shi)效(xiao)的情況
c. 任何極端的使用(yong)條(tiao)件或(huo)應(ying)用(yong)，可能影響加速失效的驗證結果
使用(yong)本文件并不免(mian)除IC供應(ying)商(shang)(shang)對其(qi)公(gong)司(si)內部質量認(ren)證的責(ze)任性，在(zai)本文檔中，“用(yong)戶”定義(yi)為(wei)所有使用(yong)符合本規(gui)(gui)范認(ren)證集(ji)成電路芯片的客戶。用(yong)戶有責(ze)任確認(ren)和驗(yan)證所有認(ren)證數據符合本文件的要求。強烈建(jian)議(yi)供應(ying)商(shang)(shang)在(zai)其(qi)規(gui)(gui)格書中使用(yong)本規(gui)(gui)范中規(gui)(gui)定的各(ge)項溫(wen)度等(deng)級。
1.1 AEC-Q100的目標
本(ben)規(gui)范的(de)目的(de)是(shi)確定一種芯(xin)片產品能夠通過(guo)規(gui)定的(de)各項驗證測試，因而可以(yi)預(yu)測該(gai)產品在實際(ji)應用中可以(yi)達到一定水平(ping)的(de)質量及可靠性。
1.2 AEC-Q100的參考文件
各個(ge)參考文件的更新(xin)(xin)和(he)修(xiu)訂也(ye)將(jiang)自動生(sheng)效(xiao)，后續的驗證計劃(hua)將(jiang)會自動使用(yong)這些參考文件的更新(xin)(xin)版本。
1.2.1 汽車等級標準
AEC-Q001 零件(jian)平均測試指導原則(ze)
AEC-Q002 良品(pin)率統計分析(xi)的指導原則
AEC-Q003 芯片產品的電性(xing)能表現特性(xing)的指(zhi)導原(yuan)則
AEC-Q004 零缺陷指導(dao)原(yuan)則（草稿）
AEC-Q005 無(wu)鉛需求
SAE J1752/3 集(ji)成電(dian)路輻射測量流(liu)程
編者注：上面5個AEC-Q文件(jian)，并非(fei)Q100的附件(jian)，而是(shi)AEC認證的附件(jian)，需要(yao)單獨在官網下(xia)載。
1.2.2 軍工等級標準
MIL-STD-883 微(wei)電(dian)子測試方(fang)法和流程
1.2.3 工業等級規范
JESD-22 封裝器件可靠性試驗方法
UL-STD-94 器件用(yong)塑(su)料材(cai)料可(ke)燃(ran)性(xing)試驗(yan)
IPC/JEDEC J-STD-020 塑料(liao)材料(liao)集成電路(lu)表面貼裝器件的濕(shi)度(du)/回流焊靈敏度(du)分類
JESD89 Alpha粒子和宇宙射線引起的半(ban)導體器件軟(ruan)誤差測量和報告
JESD89-1 系統軟誤差率(SSER)的測試方法
JESD89-2 Alpha源加(jia)速的(de)軟誤(wu)差率測試方法
JESD89-3 光束加(jia)速(su)的軟誤差率試驗方法
1.2.4 已取消的試驗內容
AEC Q100-003 ESD Machine Model
由于文件過時，從JEDEC標準(zhun)中(zhong)移除(chu)。HBM和CDM幾乎涵蓋了所(suo)有已知的(de)與esd相關的(de)故(gu)障(zhang)機制(zhi)。
AEC Q100-006 Electrothermally-Induced Gate Leakage
由于不需要將其作為(wei)資格(ge)試驗項(xiang)目而(er)取(qu)消。
1.3 定義
1.3.1 AEC-Q100認證
如果根據本文件中列(lie)出的要求(qiu)，并且成(cheng)功完(wan)成(cheng)各(ge)項測試內容(rong)，則(ze)允許供(gong)應商(shang)聲(sheng)稱該芯片通過了(le)“AEC Q100認證”。對于ESD，強烈建議在供應商規(gui)格書中指(zhi)定通過電壓，并需要在任何異(yi)常(chang)引(yin)腳上(shang)做(zuo)腳注。然后(hou)將允許供應商進行聲明，例如，“AEC-Q100符(fu)合ESD分類2的(de)要求”。
1.3.2 AEC資質證明
請注(zhu)意AEC- Q100資(zi)質沒(mei)有官方(fang)(fang)“認證(zheng)(zheng)(zheng)”，也沒(mei)有由(you)AEC運行(xing)的(de)認證(zheng)(zheng)(zheng)委員(yuan)會對產(chan)品進(jin)行(xing)認證(zheng)(zheng)(zheng)。每(mei)個供(gong)應商可以按照AEC標準(zhun)進(jin)行(xing)驗證(zheng)(zheng)(zheng)，并且根據(ju)客(ke)戶的(de)要求(qiu)并向客(ke)戶提交(jiao)足夠的(de)數據(ju)和(he)證(zheng)(zheng)(zheng)明，以方(fang)(fang)便(bian)客(ke)戶驗證(zheng)(zheng)(zheng)產(chan)品AEC-Q100的(de)符合性。
1.3.3 產品應用的認可性
產品(pin)應用的(de)認可(ke)被定義為(wei)客戶(hu)同意在他們的(de)應用中使(shi)用某(mou)芯片產品(pin)，但客戶(hu)承(cheng)認產品(pin)應用的(de)方式并不在AEC-Q100文檔的(de)范圍。
1.3.4 芯片工作溫度等級的定義
器(qi)件工(gong)作溫度(du)等級的定義見下表(biao)1:
關于高低溫(wen)(wen)測(ce)(ce)試的(de)(de)端(duan)點測(ce)(ce)試溫(wen)(wen)度，如果(guo)需要進(jin)行(xing)對應(ying)的(de)(de)測(ce)(ce)試，則(ze)必須與(yu)特定等級(ji)指定的(de)(de)溫(wen)(wen)度相等。如果(guo)考慮到上電測(ce)(ce)試過(guo)程中的(de)(de)結加熱(re)，高溫(wen)(wen)測(ce)(ce)試端(duan)點的(de)(de)測(ce)(ce)試溫(wen)(wen)度可以比(bi)規定更高。
對于(yu)B組測試-加(jia)速(su)壽(shou)命(ming)(ming)(ming)模擬測試：高溫工作壽(shou)命(ming)(ming)(ming)(HTOL)、早期壽(shou)命(ming)(ming)(ming)故障(zhang)率(ELFR)和NVM耐久(jiu)性、數據保留和工作壽(shou)命(ming)(ming)(ming)(EDR)，在施加(jia)應(ying)(ying)力(li)時，芯片的(de)結溫應(ying)(ying)等于(yu)或大于(yu)該(gai)級別對應(ying)(ying)的(de)最高溫溫度。
1.3.5 性能測量Cpk
需要參(can)考附件(jian)AEC-Q003《特征特性(xing)》去(qu)了解Cpk測(ce)量方(fang)法在AEC-Q100標準中如何使用。
2 一般通用要求
2.1 目標
該(gai)規(gui)范的(de)(de)目標是建(jian)立一個標準，定義(yi)一套集成(cheng)電路芯片的(de)(de)工作溫度及條件等(deng)級以(yi)滿(man)足(zu)車規(gui)等(deng)級認證的(de)(de)最低要(yao)求。
2.1.1 零缺陷
認證過程和(he)本文(wen)件(jian)的(de)(de)其他(ta)內容都(dou)是為了達到零缺陷的(de)(de)質量目(mu)標(biao)，需要實現零缺陷目(mu)標(biao)的(de)(de)基本內容都(dou)可以(yi)在AEC-Q004 零缺陷指導原則文(wen)件(jian)中獲取。
2.2 文件優先級
當(dang)本標準中的要求與其他文(wen)件(jian)相沖突時，可采(cai)用(yong)以下(xia)優(you)先順序(xu)進行采(cai)用(yong)和接納(na)：
- 采購訂單中明確規定的要求
- 雙方達成共識的特定芯片要求
- 本文檔
- 本文檔在1.2章節中列出的參考文件
- 供應商的規格書
有(you)一(yi)點需(xu)要注意：如果一(yi)顆產品被聲明是(shi)符合(he)AEC-Q100的(de)合(he)格(ge)芯(xin)片，則上(shang)述1、2點中的(de)采(cai)購(gou)訂單(dan)和(he)特定芯(xin)片規范也不(bu)能違背或降低(di)本規范的(de)要求。
2.3 滿足認證(zheng)和再(zai)認證(zheng)要求的通用(yong)驗證(zheng)數據的使用(yong)
2.3.1 通用驗證數據的定義
使用通(tong)(tong)用驗(yan)證數據(ju)來簡(jian)化認證過程(cheng)非常值得提倡，通(tong)(tong)用數據(ju)可以提供(gong)給使用者用于(yu)其它項目測試需求。需要考慮到的(de)是(shi)(shi)，通(tong)(tong)用數據(ju)必須基于(yu)一系列特(te)(te)殊要求，這些要求與表3和附(fu)錄1所示的(de)器件和制造工藝的(de)所有特(te)(te)性是(shi)(shi)相(xiang)關聯的(de)。
如果通(tong)用數(shu)據(ju)包含(han)任何失效結果，這個數(shu)據(ju)就(jiu)不能作為通(tong)用數(shu)據(ju)使用，除非供應商可以(yi)證(zheng)明針(zhen)對(dui)客戶接(jie)受的(de)失效條件完成了糾正措施。
AEC-Q100文檔中(zhong)附錄(lu)1中(zhong)定義了一個(ge)標準，通過它多(duo)個(ge)元器件可(ke)以(yi)(yi)組成(cheng)這個(ge)認(ren)證產品的(de)(de)家(jia)(jia)族(zu)系(xi)(xi)列，目的(de)(de)是(shi)確保(bao)所有同系(xi)(xi)列/家(jia)(jia)族(zu)芯片的(de)(de)通用(yong)驗證數據，對于其(qi)他待驗證器件同樣認(ren)證都是(shi)相同的(de)(de)和普遍接(jie)受的(de)(de)。對于應力測(ce)試(shi)，如果在技術上(shang)論證是(shi)合理的(de)(de)，那么兩個(ge)或(huo)更多(duo)的(de)(de)芯片系(xi)(xi)列/家(jia)(jia)族(zu)將可(ke)以(yi)(yi)組合起來進(jin)行(xing)測(ce)試(shi)認(ren)證（例如數據上(shang)的(de)(de)支持）。
而在AEC-Q100文檔中的(de)(de)表3描述(shu)了一(yi)組必須(xu)考慮(lv)到元器組件有任何改(gai)變的(de)(de)認(ren)證(zheng)測試(shi)項目(mu)，其中的(de)(de)矩陣(zhen)圖也(ye)同樣描述(shu)了與制程變更(geng)相關的(de)(de)新(xin)(xin)工藝(yi)制程和重(zhong)新(xin)(xin)認(ren)證(zheng)。該表是一(yi)個測試(shi)項目(mu)總括，使用(yong)者應將其作一(yi)個基本準(zhun)線來(lai)討論(lun)那(nei)些存在疑問需要認(ren)證(zheng)的(de)(de)測試(shi)。供(gong)應商有責(ze)任介紹為什么某些被推薦的(de)(de)測試(shi)項目(mu)不需要進行的(de)(de)原因和理由。
2.3.2 通用數據可接受的時間限制
通用(yong)數(shu)據的可接受(shou)性沒(mei)有時(shi)間限制，使(shi)用下面的(de)(de)圖表可(ke)以(yi)使(shi)用其(qi)中適(shi)當的(de)(de)可(ke)靠來源數據。這些數據必須來自(zi)于附錄1中(zhong)定義的(de)特(te)定產品或相同系列中(zhong)的(de)某個(ge)產品。潛在的通用數據來源可(ke)以包括任何該客戶(hu)(hu)的(de)特(te)殊認證(zheng)數據(ju)(保留(liu)客戶(hu)(hu)名稱(cheng))、工藝過(guo)程變更認證(zheng)和周期可(ke)靠性監視(shi)數據(ju)(參(can)見下圖(tu)1)。
需要注意(yi)的(de)是：一些工(gong)藝制程改變（如(ru)Die減小）將會影(ying)響通用數(shu)據的(de)使(shi)用，以至于(yu)這些改變之前得到的(de)認證(zheng)數(shu)據就不能(neng)作為通用數(shu)據接受使(shi)用。
2.4 驗證需要的樣品
2.4.1 批次要求
測試樣品應該由認證過的系列芯片中有代表性的產品構成，由于缺少通用數據就需要進行多批次的測試，表2中列出的測試樣品必須是由非連續生產晶圓批次中的數量組成，并在非連續生成批次中進行封裝。即提供的樣品批次在晶圓廠里必須是分散的，或封裝廠至少有一個非認證的批次。與上述任何偏差都需要供應商給出(chu)技術(shu)解釋。
2.4.2 生產要求
所有認證樣品(pin)(pin)都需要在(zai)工廠里面，在(zai)以后大批量生產的(de)相(xiang)同(tong)產線設備和夾具上進行(xing)加工處(chu)理，其他(ta)的(de)性能(neng)測(ce)試(shi)設備可以在(zai)其電測(ce)試(shi)性質(zhi)驗證有效后用(yong)于產品(pin)(pin)測(ce)試(shi)。
2.4.3 認證樣品的重復使用
已經用(yong)來做非破壞(huai)性(xing)認證測試的(de)產(chan)品可以用(yong)來做其他認證測試項目，而做過(guo)破壞(huai)性(xing)認證測試的(de)器件除了工程(cheng)分(fen)析外不能(neng)再使(shi)用(yong)。
2.4.4 樣品數量要求
用(yong)于認證測(ce)試的(de)樣(yang)品數量與(yu)提交(jiao)的(de)通用(yong)數據結果，必須與(yu)表2中定義的(de)最小樣(yang)品數量和接受標準(zhun)相一致(zhi)。
如果供應商(shang)選擇使用(yong)通(tong)(tong)用(yong)數(shu)據(ju)來認(ren)證(zheng)，則特(te)殊的(de)測(ce)試條(tiao)件(jian)和(he)結果必須(xu)給(gei)客戶提供詳(xiang)細的(de)測(ce)試認(ren)證(zheng)記(ji)錄(lu)(lu)（記(ji)錄(lu)(lu)的(de)格式可(ke)見附(fu)錄(lu)(lu)4）。現有(you)可(ke)用(yong)的(de)通(tong)(tong)用(yong)數(shu)據(ju)應該滿(man)足這(zhe)些要(yao)求和(he)表2中2.3節的(de)每個(ge)測(ce)試要(yao)求。如果通(tong)(tong)用(yong)數(shu)據(ju)不能滿(man)足這(zhe)些要(yao)求，就(jiu)要(yao)進行產品的(de)特(te)殊認(ren)證(zheng)測(ce)試。
2.4.5 應力前測試和應力后測試的要求（回測要求）
終(zhong)端點的測(ce)試溫(wen)度(du)（室溫(wen)、高低溫(wen)）在表(biao)格2的"附加需(xu)求"一(yi)列做(zuo)了規定。
2.5 應力測試失效后的定義
測試(shi)失(shi)效(xiao)定(ding)義(yi)(yi)為經過(guo)(guo)驗(yan)證(zheng)(zheng)發現(xian)不符合器件(jian)規范、標(biao)準規范或(huo)是供應商的(de)(de)規格書中(zhong)定(ding)義(yi)(yi)參數(shu)的(de)(de)驗(yan)證(zheng)(zheng)樣品(pin)(pin)，其重要(yao)(yao)(yao)性依次定(ding)義(yi)(yi)在2.2節中(zhong)。任何(he)由(you)于(yu)(yu)環境測試(shi)導致的(de)(de)外部(bu)物(wu)理特性損壞的(de)(de)產(chan)品(pin)(pin)也(ye)要(yao)(yao)(yao)被認為是失(shi)效(xiao)的(de)(de)器件(jian)。如果(guo)失(shi)效(xiao)的(de)(de)原因(yin)被廠商和使(shi)用者認為是在認證(zheng)(zheng)過(guo)(guo)程中(zhong)由(you)于(yu)(yu)非正(zheng)確(que)的(de)(de)運轉(zhuan)，比如轉(zhuan)移產(chan)品(pin)(pin)過(guo)(guo)程中(zhong)遇到靜(jing)電(dian)放電(dian)或(huo)擊穿(chuan)等(deng)，或(huo)者由(you)于(yu)(yu)一些與驗(yan)證(zheng)(zheng)條件(jian)不相(xiang)關(guan)的(de)(de)原因(yin)帶來的(de)(de)失(shi)效(xiao)，那(nei)么就不算產(chan)品(pin)(pin)自身的(de)(de)失(shi)效(xiao)，但(dan)是這個失(shi)效(xiao)結果(guo)要(yao)(yao)(yao)作為實(shi)驗(yan)數(shu)據上報。
3 認證和重復認證
3.1 新產品(器件)的認證
新產品認證(zheng)的(de)各項應(ying)力測(ce)試要(yao)求流程如圖(tu)2（附后）所(suo)示(shi)，表(biao)2（附后）中描述了相關的(de)測(ce)試條件。對(dui)于每個認證(zheng)，無論是待(dai)認證(zheng)器(qi)件的(de)應(ying)力測(ce)試結(jie)(jie)果(guo)還(huan)是可接受(shou)的(de)通用數據，供(gong)應(ying)商(shang)都(dou)必須保留所(suo)有的(de)數據結(jie)(jie)果(guo)。同時(shi)也應(ying)該對(dui)同類系(xi)(xi)列(lie)/家(jia)族的(de)器(qi)件驗證(zheng)結(jie)(jie)果(guo)進行復(fu)審，以確保在(zai)(zai)這個系(xi)(xi)列(lie)/家(jia)族中沒有存在(zai)(zai)共性的(de)失效機(ji)理。無論何(he)時(shi)需要(yao)使(shi)用系(xi)(xi)列(lie)通用數據，都(dou)要(yao)得(de)到供(gong)應(ying)商(shang)的(de)足夠(gou)證(zheng)明和使(shi)用者的(de)批準。
對于每個產品認(ren)證，供(gong)應商必須(xu)提(ti)供(gong)以下：
● 設計、建立和認證(zheng)的證(zheng)明（見附錄(lu)2）
● 應力測(ce)試(shi)認證(zheng)數據(ju)（見表2和附錄4）
● 用(yong)(yong)經過AEC-Q100-007 認證（當適用(yong)(yong)于該(gai)器件類型時）的軟件故障(zhang)等級水平的指示(shi)數(shu)據，可(ke)以實現應用(yong)(yong)并能(neng)達到客(ke)戶的要求。
3.2 產品發生變更后的重新認證
當供應商對產(chan)(chan)品或制程作出了(le)(le)調整變更，從而影(ying)響了(le)(le)（或潛在影(ying)響）產(chan)(chan)品的外(wai)形、兼容(rong)性、功能、質量(liang)和可靠(kao)性時(shi)（見表3的指導原則），該(gai)產(chan)(chan)品就(jiu)需(xu)要重(zhong)新認證。
3.2.1 制程改變通知
供應(ying)商需(xu)要(yao)滿足(zu)客戶對產品/制(zhi)程(cheng)變更的要(yao)求。
3.2.2 需要重新認證的變更
根據(ju)附錄1定(ding)義(yi)的(de)(de)，產品任何最小的(de)(de)變更，都(dou)要用(yong)表(biao)(biao)3來(lai)決定(ding)重新認證的(de)(de)驗證方(fang)案，需要進行表(biao)(biao)2中(zhong)列出(chu)對應的(de)(de)測試(shi)項(xiang)。表(biao)(biao)3內容應作(zuo)(zuo)為一個指導方(fang)向，用(yong)以決定(ding)哪(na)些測試(shi)項(xiang)可(ke)(ke)以用(yong)來(lai)作(zuo)(zuo)為此次變更的(de)(de)認證標準，或者(zhe)對于哪(na)些測試(shi)項(xiang)可(ke)(ke)以使用(yong)相同的(de)(de)通(tong)用(yong)數據(ju)來(lai)使用(yong)。
3.2.3 通過重新認證的標準
所有重新認證過程中的失效都應該分析其根本原因。只(zhi)有當(dang)糾正和預防措施執行到(dao)位時，才可(ke)以(yi)認為該產品再次符合AEC Q100的要求。
3.2.4 使用方（客戶）的認可
如(ru)果一(yi)個變更不會(hui)影(ying)響(xiang)產品(pin)的(de)工作溫度等級，但是會(hui)影(ying)響(xiang)其使用時的(de)性能。對于(yu)一(yi)些客戶的(de)特別(bie)應用場(chang)景，將需要客戶對制程(cheng)改變有單獨的(de)授權(quan)許可，而這種許可方式則超出(chu)了本文件的(de)范圍。
3.3 無鉛產品的認證
AEC-Q005無鉛要(yao)(yao)(yao)求規(gui)范(fan)中規(gui)定了使(shi)(shi)用無鉛產品加(jia)工過程中特殊(shu)的(de)(de)質(zhi)量和(he)(he)可(ke)(ke)靠(kao)性(xing)問題。在無鉛產品加(jia)工中使(shi)(shi)用的(de)(de)材料，包(bao)括終(zhong)端電鍍和(he)(he)板(ban)附(fu)著相關的(de)(de)材料(焊(han)料)。這些材料通常要(yao)(yao)(yao)求更高的(de)(de)板(ban)附(fu)著溫(wen)度(du)，以產生可(ke)(ke)被接受的(de)(de)焊(han)點質(zhi)量和(he)(he)可(ke)(ke)靠(kao)性(xing)，但這些較高的(de)(de)溫(wen)度(du)可(ke)(ke)能會(hui)對塑料封(feng)裝(zhuang)半導(dao)體(ti)芯片的(de)(de)濕(shi)度(du)敏感性(xing)產生不利影(ying)響。因(yin)此可(ke)(ke)能需(xu)要(yao)(yao)(yao)新的(de)(de)、更堅固的(de)(de)封(feng)裝(zhuang)化合物(wu)。
如(ru)果(guo)需要(yao)變更封(feng)裝材料以提(ti)供(gong)(gong)足夠的(de)穩定性以實現產品的(de)無(wu)鉛化加工(gong)，供(gong)(gong)應(ying)(ying)商應(ying)(ying)參(can)考本規范中的(de)工(gong)藝變更確(que)認要(yao)求。在(zai)環境應(ying)(ying)力測試之前(qian)，應(ying)(ying)在(zai)IPC/JEDEC J-STD-020《非(fei)密封(feng)固態表面貼裝器件的(de)濕度(du)/回流靈敏度(du)分類》中描(miao)述的(de)無(wu)鉛回流分類溫度(du)下進行預處理。
4 認證測試
4.1 通用測試
各項測(ce)試(shi)流程如圖2所示，測(ce)試(shi)細則如表(biao)(biao)2所列(lie)。并不(bu)是(shi)所有測(ce)試(shi)項都適(shi)用(yong)于(yu)全部器件(jian)(jian)產(chan)品，例如某些測(ce)試(shi)只適(shi)用(yong)于(yu)陶瓷封裝器件(jian)(jian)，其他測(ce)試(shi)只適(shi)用(yong)于(yu)非(fei)易失性存(cun)儲(chu)器器件(jian)(jian)等(deng)等(deng)。表(biao)(biao)2的注(zhu)釋(shi)欄中(zhong)指定了(le)適(shi)用(yong)于(yu)特(te)殊器件(jian)(jian)類型的測(ce)試(shi)。表(biao)(biao)2的“附加要(yao)求(qiu)”欄中(zhong)也提(ti)供了(le)重點測(ce)試(shi)要(yao)求(qiu)，取(qu)代(dai)了(le)之前版本(ben)參考測(ce)試(shi)方法的那些要(yao)求(qiu)。客戶要(yao)求(qiu)的本(ben)文件(jian)(jian)要(yao)求(qiu)之外(wai)的特(te)殊驗證項目(mu)和驗證條件(jian)(jian)，需要(yao)供應商(shang)和客戶進行(xing)協商(shang)后確(que)認開(kai)展(zhan)進行(xing)。
4.2 器件特定測試
對(dui)于所有密封塑封的待認(ren)證器件，必須進行以下測試內容，家族產品通(tong)用數據(ju)不允(yun)許用在這些器件上(shang)。但是可以接受該器件已(yi)經(jing)完成特殊驗證的認(ren)證數據(ju)。
1 靜電(dian)(dian)放(fang)電(dian)(dian)---所有產品
2 閂鎖效應---所有產(chan)品(pin)
3 電分配(pei)---供(gong)應商必(bi)(bi)須證明(ming)，超過了工作溫(wen)度(du)等級、電壓和頻(pin)率范圍，器(qi)件仍(reng)然能夠滿足其(qi)規格說明(ming)的(de)參(can)數限(xian)制(zhi)。數據必(bi)(bi)須取(qu)自至(zhi)少三(san)個批次(ci)，或矩陣式（或斜式）制(zhi)程批次(ci)，必(bi)(bi)須提供(gong)足夠的(de)樣(yang)品進行有效的(de)統(tong)計，詳見AEC-Q100-009文(wen)件。強(qiang)烈推薦(jian)使用AEC-Q001文(wen)件中的(de)元件平均測(ce)試(shi)指導原則來建立終測(ce)限(xian)度(du)。
4 其他測試---客戶可(ke)以根據(ju)經驗要(yao)求進行其他測試項(xiang)目，取(qu)代那些(xie)來(lai)自特定供應商的通用數(shu)據(ju)。
4.3 損耗可靠性測試
與損耗失(shi)效機(ji)理相關(guan)的(de)(de)新技(ji)術和材(cai)料無(wu)論如何(he)被(bei)認證(zheng)，以(yi)下列出的(de)(de)失(shi)效機(ji)理測(ce)試都必須是(shi)要(yao)(yao)認證(zheng)的(de)(de)。數據、測(ce)試方法、計算(suan)和內(nei)部標準(zhun)在(zai)每(mei)種新器件的(de)(de)認證(zheng)上不需要(yao)(yao)論證(zheng)和執(zhi)行，但(dan)應(ying)滿足客(ke)戶(hu)的(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)。
●電遷移
●經時(shi)絕(jue)緣(yuan)擊穿（TDDB 薄柵氧化層測試）---針對所有MOS技術
●熱載流(liu)子注入效應---針對1微(wei)米以下所有MOS技術
●負(fu)偏(pian)壓(ya)溫度(du)不穩(wen)定性
●應力遷移
認證測試流程 AEC Q100圖2介紹和解讀(藍色字體非標準原文):
AEC-Q100 7組驗證內容的概述：
在展開分項列表(biao)前，讓我(wo)們看一下(xia)這個最重要的測試流程(cheng)圖(tu)，AEC-Q100共分為(wei)7組驗證內容，A - G組。
這(zhe)7組驗(yan)證類別分別是：
A.加速環境應力測試
B.加(jia)速壽命模擬測試
C.封裝組裝整合測試
D.芯片晶圓可靠(kao)性測試
E.電氣特性確認測試
F.瑕疵篩選監控測試
G.封裝(zhuang)凹陷整(zheng)合(he)測試
圖片中上半(ban)部分(fen)的認證內容：
D組是(shi)在晶(jing)(jing)圓(yuan)廠進(jin)(jin)行(xing)(xing)的驗(yan)證(zheng)內容，這部(bu)分內容偏重晶(jing)(jing)圓(yuan)生產和工藝驗(yan)證(zheng)，一般會(hui)由Fab廠進(jin)(jin)行(xing)(xing)驗(yan)證(zheng)，沒有自己晶(jing)(jing)圓(yuan)生產能力的芯(xin)片公司Fabless不(bu)需要(yao)關注(zhu)。
C組，是和封(feng)裝(zhuang)工藝相關(guan)的驗證(zheng)(zheng)內容，一(yi)般(ban)由封(feng)裝(zhuang)廠(chang)進行驗證(zheng)(zheng)，沒有自己(ji)封(feng)裝(zhuang)能(neng)(neng)力的芯(xin)(xin)片(pian)公司不需要(yao)關(guan)注(zhu)。一(yi)般(ban)具備車規級晶圓和封(feng)測能(neng)(neng)力的代工廠(chang)，都具備16949認證(zheng)(zheng)和對(dui)應的AEC-Q驗證(zheng)(zheng)能(neng)(neng)力，芯(xin)(xin)片(pian)公司要(yao)求對(dui)方提供相應的結(jie)果和報告(gao)就可(ke)以。
F組和(he)E組的(de)FG和(he)CHAR內容，是晶圓(yuan)廠和(he)性能測試都需(xu)要關注的(de)，屬于通用(yong)標準，更(geng)像是統計方(fang)法的(de)指(zhi)導文件。
圖(tu)片下(xia)半部分認證內容：
A、B、E、G四(si)組(zu)是(shi)(shi)功能(neng)(neng)、參數、電(dian)性(xing)能(neng)(neng)驗證，這(zhe)部(bu)(bu)分是(shi)(shi)芯片產品在封裝后進行的驗證內(nei)容(rong)，一(yi)般由(you)芯片設計公司(si)自行尋求第三方(fang)驗證公司(si)進行測(ce)試和報告的生成，這(zhe)部(bu)(bu)分內(nei)容(rong)和產品性(xing)能(neng)(neng)、功能(neng)(neng)、應用強相關(guan)，也是(shi)(shi)芯片公司(si)比較關(guan)注(zhu)的重(zhong)點(dian)。
需要注意的是，E組同時出現在上下兩個部分，但是包含的驗證內容并不(bu)相同。
AEC-Q100驗證項目簡單分析
通過圖2的(de)測(ce)試(shi)流(liu)程圖，我們(men)可以發現(xian)，AEC-Q100共(gong)(gong)計(ji)(ji)定義了(le)57項(xiang)測(ce)試(shi)驗證內容(rong)，共(gong)(gong)計(ji)(ji)40種(zhong)測(ce)試(shi)項(xiang)目。但是這57項(xiang)測(ce)試(shi)驗證內容(rong)并不(bu)是需要全部完成的(de)，在表2中明確給出了(le)不(bu)同的(de)驗證項(xiang)目對應的(de)產品類型。
但是(shi)即便刪除部分不(bu)需要驗證的(de)(de)(de)測試(shi)(shi)項(xiang)(xiang)目(mu)，對(dui)于芯片(pian)公(gong)司來說，仍然高達20項(xiang)(xiang)以(yi)(yi)上的(de)(de)(de)測試(shi)(shi)項(xiang)(xiang)目(mu)，想通過AEC-Q100的(de)(de)(de)測試(shi)(shi)也(ye)并不(bu)是(shi)一(yi)件容易的(de)(de)(de)事情，所以(yi)(yi)芯片(pian)公(gong)司如(ru)果想推出一(yi)顆車(che)規(gui)等級芯片(pian)，在設計和(he)尋求代工廠的(de)(de)(de)階段(duan)，就一(yi)定(ding)把后面的(de)(de)(de)驗證內容和(he)標準考慮好。
認證測試方法 AEC Q100 表2
編(bian)者注:表(biao)2的內容(rong)(rong)是(shi)最為重要的部分，其中還引(yin)用了大量的參(can)考(kao)資料，所以(yi)單純的翻譯表(biao)2信息意義不大，還容(rong)(rong)易(yi)造成(cheng)誤解(jie)，作者有系列文章對(dui)每(mei)一項內容(rong)(rong)進(jin)行詳細解(jie)讀可以(yi)參(can)考(kao)，所以(yi)在此仍然粘貼(tie)英(ying)文原(yuan)版內容(rong)(rong)。
表2的注釋：
- 每列的含義
Stress：應力測試項目的名稱
ABV： 應力測試項目的(de)名(ming)稱縮寫
#： 應力測試(shi)項目的編號
Notes： 詳(xiang)見(jian)下述Notes的(de)含(han)義(yi)
Sample Size/Lot： 需求的樣品(pin)數量
Number of Lot：樣品批次數量(liang)
Accept Criteria: 接(jie)受標(biao)準(zhun)
Test Method：測試方法（標準）
Additional Requirement：附加要求
- Notes一列的含義
H 僅要求密封器件
P 僅要求塑封器件
B 僅(jin)要求焊球表(biao)面貼(tie)裝（BGA）器件
N 非破壞性測試(shi)，器件還可以用(yong)到其它(ta)測試(shi)上或者用(yong)到生產上
D 破壞(huai)性(xing)測(ce)試，器件不能重新用(yong)來認(ren)證(zheng)和生產
S 僅(jin)要求表面貼裝塑封器件
G 承認通用數據。見(jian)表1 的2.3 節(jie)和(he)附錄1
K 使用AEC-Q100-005 方(fang)法來(lai)對獨立非易失性存儲(chu)器集成電路或帶有非易失性存儲(chu)器模(mo)塊的集成電路進行預處理。
L 只對無鉛器(qi)件(jian)要求
# 特殊測試的參考(kao)數據編號
* 認證應力(li)前后的(de)所有電性能測(ce)試都要在單獨器件(jian)規定的(de)溫度和極限(xian)值范圍內進行。
表3 工藝變更后都需要開展哪些驗證
注意:字(zi)母或(huo)“●”表示在(zai)適當(dang)工(gong)藝變更中應該考慮開展哪些應力(li)測試的(de)內容。如果不進行表格中對應測試的(de)原因，應在(zai)認證計劃(hua)或(huo)結果中給出說明。
表格中字母的含義：
A-僅用于(yu)外圍切磨 B-用于(yu)符(fu)號返修，新的固化(hua)時間和溫度(du) C-如(ru)果焊接到引腳上
D-設計規(gui)則變更 E-只針對厚度 F-僅用(yong)于(yu)MEMS元件 G-僅用(yong)于(yu)非100%燒壞的(de)器件
H-只用(yong)于(yu)密封(feng)器(qi)件 J-EPROM或者E2PROM K-只用(yong)于(yu)鈍化處(chu)理 L-僅用(yong)于(yu)無鉛(qian)器(qi)件
M-用于需要PTC的器件 N-鈍化和(he)柵氧化物 Q-線徑變小(xiao) T-只針對貼片焊球
以上就是截止到附錄1之前，AEC Q100文件的全部內容翻譯及解讀。
由于篇幅(fu)較長(chang)，AEC Q100后(hou)面的(de)附(fu)錄部分內容將會(hui)新(xin)起文章發(fa)布。
本文(wen)(wen)對AEC-Q100的正文(wen)(wen)內(nei)容翻譯和解(jie)(jie)讀，主要是解(jie)(jie)決當前(qian)很難找到AEC Q100完(wan)整中文(wen)(wen)版的痛點(dian)，隨著當前(qian)車規芯片認證(zheng)越(yue)來越(yue)被關注，中文(wen)(wen)版的AEC Q100文(wen)(wen)件需求已經愈發的強勁，希望對大家有(you)所幫助。
但(dan)是(shi)(shi)AEC Q100文件(jian)(jian)難點并不在于對這一個文件(jian)(jian)翻譯(yi)和理解，而是(shi)(shi)其背后大量的(de)(de)(de)參(can)考資料(liao)，以及多(duo)個跨學(xue)科(ke)領(ling)域的(de)(de)(de)知識內容，想徹底吃透(tou)AEC Q100文件(jian)(jian)的(de)(de)(de)全部(bu)內容，確實有較大的(de)(de)(de)難度，期待這一系(xi)列逐(zhu)項的(de)(de)(de)介紹文章也(ye)能幫助到大家。
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