我本次調試(shi)用的(de)主控(kong)IC是(shi)來自成都啟臣微(wei)及深(shen)圳思睿達的(de)CR52168SG，輸(shu)出規格24V0.5A，該芯片(pian)采用原邊檢測(ce)和(he)調整的(de)拓撲結(jie)構(gou)，因此在應用時(shi)無需(xu)TL431 和(he)光耦(ou)。芯片(pian)內置恒流/恒壓(ya)兩種控(kong)制(zhi)方式。接(jie)下(xia)來我把(ba)我的(de)調試(shi)過程全程分享(xiang)給大家

【應用】燈

【規(gui)格】24V0.5A

【問題描述】調試時發(fa)現EMI傳導余量不(bu)足

上圖可(ke)以發(fa)現，0-800K處傳導(dao)余(yu)量不足(zu)，此方(fang)案做燈(deng)，有PF要求。所以用了一個(ge)填谷(gu)線路(lu)，填谷(gu)線路(lu)前(qian)端傳導(dao)相對來說是較為難調。0-800K處有以下四點常見(jian)的地(di)方(fang)可(ke)調：

①X電(dian)(dian)容 ②整流橋(qiao)(qiao)橋(qiao)(qiao)前后電(dian)(dian)感(gan) ③變(bian)壓器 ④PCB布局干擾(rao)

首先我先嘗(chang)試最簡單的先改外圍電路(lu)，X電容(rong)和色環電感已經用了330nF和1mH，已經夠大(da)了，所(suo)以先把整(zheng)流橋后負極RL2的0R改成4.7uH貼片電感或1K磁珠，發(fa)現沒(mei)有什么作用。將薄膜電容(rong)放大(da)后，效果也不好。

看來跟外圍元件關(guan)系(xi)不是很大(da)，因為平常用(yong)這種配置，傳導(dao)余量(liang)都(dou)有很大(da)。于是第(di)二(er)步先檢查一下(xia)變壓器，把Y電(dian)容去掉(diao)后，測(ce)量(liang)Y電(dian)壓，如下(xia)圖

可以(yi)(yi)看到除開(kai)尖峰，Y電壓(ya)平臺只有3V左右，已經(jing)很小(xiao)了，大概率(lv)不是(shi)變壓(ya)器的原(yuan)因。但是(shi)由于(yu)我設計的變壓(ya)器并沒(mei)有屏蔽(bi)以(yi)(yi)及磁芯(xin)(xin)接地，如上圖。所以(yi)(yi)我決定(ding)嘗試(shi)加一層屏蔽(bi)和磁芯(xin)(xin)接地分開(kai)嘗試(shi)。嘗試(shi)后發現磁芯(xin)(xin)接地及加屏蔽(bi)，傳導會變得更差，Y電壓(ya)也越高，對(dui)應(ying)的上，證(zheng)明(ming)不是(shi)變壓(ya)器的問題。（沒(mei)存圖）

那接(jie)下來只有嘗試改PCB了，前方傳導超標(biao)最大的可能就是AC干擾

由于(yu)變壓器(qi)是3+2+2的，看板子貼片(pian)面可(ke)以看到AC部(bu)(bu)分距(ju)(ju)離高壓動(dong)點部(bu)(bu)分距(ju)(ju)離還是很(hen)遠的，我一時半(ban)會還確實看不出來是什么問題，包括吸收環路也(ye)不錯。唯一有(you)疑點的就是這根(gen)線離得太近了，距(ju)(ju)離只(zhi)有(you)1mm如下圖

抱著試一試的心理，我嘗試把交流這根線隔開(kai)，把整流橋斜一點飛起(qi)來，把X電容也(ye)飛起(qi)來放在(zai)貼片面，發現(xian)效果很好，如(ru)下圖

但事(shi)情實(shi)際沒有那么簡單，我正以為大功告成(cheng)，于(yu)是(shi)我直接改板，把這根線離遠一點，改成(cheng)以下板子(zi)，貼完(wan)之后(hou)測(ce)試(shi)發現(xian)還是(shi)不行，如下圖(tu)

可以看到，余量只有2db，跟(gen)之前飛線(xian)的(de)(de)效果差異巨(ju)大，于是(shi)我懷疑根(gen)本不(bu)是(shi)那根(gen)線(xian)的(de)(de)問題，難(nan)道是(shi)插件(jian)面干擾(rao)了(le)？以下(xia)是(shi)我嘗試的(de)(de)方法

一，改用方形(xing)保險絲，傳導余(yu)量6dB左右

二，使用銅箔包(bao)裹變壓器，傳導余量10dB左(zuo)右

三，將X電容與壓敏電阻換(huan)位，傳導(dao)余(yu)量10dB左右

于是(shi)(shi)我用原板子嘗試了(le)以上步驟，發現均(jun)可以達到效果，說明不(bu)是(shi)(shi)那根線太近(jin)的(de)原因，大概率是(shi)(shi)變壓器(qi)對交流部分的(de)X電(dian)容以及保險絲產生的(de)干擾！

以下是一些思考

①關于保險絲(si)與變壓器之間的干擾

*繞線電阻保險絲

螺旋結構(gou)相當(dang)于一個 小(xiao)電(dian)感線圈，會通過(guo) 磁場耦合(he) 吸收變壓器(qi)泄(xie)漏(lou)的(de)開關(guan)噪(zao)聲（尤其是MOSFET的(de)di/dt噪(zao)聲）。

這(zhe)些噪(zao)聲(sheng)通(tong)過繞(rao)線電(dian)(dian)阻的寄生電(dian)(dian)感與PCB走線電(dian)(dian)容形(xing)成諧振，傳導到輸入端(duan)口（LISN檢測(ce)到的噪(zao)聲(sheng)升(sheng)高）。

*方形直插保險絲

直(zhi)(zhi)線(xian)熔絲結(jie)構無顯著磁場耦(ou)合效應，且寄生(sheng)電(dian)感極低，高頻噪聲直(zhi)(zhi)接通(tong)過輸入濾波(bo)電(dian)容回流，不會被放大。

*結論

根本原因(yin)是(shi)：繞線(xian)電阻的(de)螺旋結構引入(ru)的(de)寄生(sheng)電感和磁(ci)場(chang)耦合(he)，盡管體積相同，但其高頻特性與直插保險絲截(jie)然不同

②關于X電容(rong)與變壓器之(zhi)間的干擾

變壓(ya)器漏(lou)磁場的(de)直接耦合

變壓器(qi)在開關過(guo)程(cheng)中會(hui)產生 高頻漏磁場(chang)（尤其(qi)是反激(ji)電(dian)源的變壓器(qi)，因(yin)氣隙存在漏磁較強(qiang)）。

若(ruo)X電容 靠(kao)近變壓器（尤(you)其是氣隙或繞組邊緣），其金屬極(ji)板或引腳(jiao)會成為(wei) 磁場接收天線，感應(ying)出(chu)高頻共模電壓，并通過L/N線傳導到LISN。

飛線到貼片面后(hou)改(gai)善：因(yin)物(wu)理距離增加，磁場耦合強度隨距離平方(fang)衰減，噪聲被抑制。

X電容的“共模噪(zao)聲轉化(hua)”效應

X電容本應(ying)濾除 差模噪聲(sheng)(sheng)，但若其(qi)位置被變壓(ya)器漏磁場干擾，會 將共(gong)模噪聲(sheng)(sheng)轉(zhuan)化為差模噪聲(sheng)(sheng)：

磁場在X電容兩極(ji)板感應出 不(bu)對稱電壓，導致(zhi)L-N之間出現(xian)本應被濾除(chu)的高頻(pin)差模噪聲。

這種“污染”后的差模(mo)噪聲會直接通過傳導測試超標。

PCB布局的隱性環路

即使(shi)X電容(rong)在(zai)交流(liu)(liu)側，其與變(bian)壓器、整流(liu)(liu)橋、輸入線仍可能形(xing)成(cheng) 隱性(xing)高頻環路：

例如：變(bian)壓器(qi) → 空間磁(ci)場 → X電(dian)容 → 整流橋(qiao) → 變(bian)壓器(qi)，構成共模(mo)噪聲(sheng)的(de)閉合路徑。

飛(fei)線貼片(pian)布(bu)局可能打破(po)了這(zhe)一環路，阻(zu)斷了噪聲(sheng)耦合。

結論

核(he)心問題：X電容因靠近變壓器(qi)(qi)，被漏磁場耦合，從“濾波器(qi)(qi)”變成(cheng)“噪聲接收器(qi)(qi)”。

飛線改善的原因：

距離增加 → 磁場耦合減弱。

可(ke)能(neng)無意中(zhong)避開了隱性(xing)噪聲環路。

優化方向：

空(kong)間隔離 > 屏蔽 > 濾(lv)波增強(qiang)。

希(xi)望以上的調試對(dui)你有(you)幫(bang)助！